檢索結果:共7筆資料 檢索策略: "化學工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="有機金屬化學氣相沉積"
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本研究以先驅物(hfac)CuI(COD)在不同的TaNx阻障層上,利用化學氣相沉積法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)進行沉積銅晶種層(Seed l…
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The Ga doped-ZnO (GZO) thin film has been demonstrated to have low resistivity and high transparenc…
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本研究利用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統,透過「氣-液- 固」機制及使用金當催化劑,成功地在溫度700oC下分別在藍寶石(脉-Al2O3)、矽基板和氮化鎵上成長氮化鎵的奈米線。我們將氮源由…
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本研究利用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統,將氮源由傳統MOCVD製程中所使用的氨氣(NH3)改為第三丁基聯胺(i-butylhydrazine, TBHy),來與三甲基鎵(trimethyl…
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本研究以有機金屬化合物CuII(OCHMeCH2NEt2)2為先驅物的化學氣相沈積系統探討金屬銅薄膜的材料分析。藉由調整沈積溫度及沈積時間,探討成長出高純度且具有良好之平坦度、緻密性、連續性及低電阻…
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關鍵字;氮化銦鎵、奈米線、有機金屬化學氣相沉積 本研究選用在低溫即具有分解能力的聯胺系列化合物-二甲基聯胺(DMHy)來取代反應性低的氨氣(NH3),同時以分解溫度較低之鎵源-三乙基鎵(TEGa)…
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本研究選用在低溫即具有分解能力的聯胺系列化合物-二甲基聯胺(DMHy)來取代反應性低的氨氣(NH3)作為氮源先驅物,同時以分解溫度較低之鎵源-三乙基鎵(TEGa),來成長氮化鎵奈米線,期望以TEGa…